Teori Teknologi RAM Terbaru AOK tugas/Indra P

OCZ Technology Inc. memperkenalkan produk baru mereka yaitu RAM khusus untuk chipset terbaru Intel, X38 Chipset. RAM ini diberi nama DDR3 PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition. Produk ini akan menjadi memorypertama yang memiliki fitur Intel Extreme Memory Profiles, yaitu fitur yang dapat bekerja secara maksimal dengan chipset Intel X38 untuk melakukanoverclock RAM tanpa mempermasalahkan waktu latency. RAM ini secaradefault berjalan pada latency 8-8-8, dan dapat juga dijalankan sampai dengan latency 7-6-6 agar proses overclocking maksimal.

Berikut ini saya kutipkan spesifikasi RAM ini

	1600MHz DDR3
	CL 8-8-8-27 (CAS-TRCD-TRP-TRAS)
	XMP Profile 1: 1600MHz 8-8-8*
	XMP Profile 2: 1600MHz 7-6-6
	Available in 1GB modules and 2GB kits
	Unbuffered
	Titanium Z3 XTC Heatspreader**
	Lifetime Warranty
	1.8 Volts
	240 Pin DIMM
	Optimized for Intel X38 boards

Intel X38 Chipset merupakan salah satu jajaran chipset Intel dengan code name Bearlake (X). Rencananya chipset ini akan dikeluarkan pada tanggal 23 September 2007 nanti. Prosesor yang mendukung chipset ini adalah Core 2 Quad dan Core 2 Duo dengan FSB sebesar 1.333 MHz. Saya belum menemukan perkiraan harga untuk RAM ini. Jadi, mohon anda bersabar jika berminat dengan produk ini. Yang pasti, persiapkan dana yang lebih untuk memilikinya

DDR3

Salah satu kelebihan yang paling terlihat pada RAM DDR3 ini adalah konsumsi daya yangdiperlukan berkurang sekitar 16% dibandingkan dengan DDR2. Hal tersebut disebabkan karena DDR3 sudah menggunakan teknologi 90 nm sehingga konsusmsi daya yang diperlukan hanya 1.5v, lebih sedikit jika dibandingkan dengan DDR2 1.8v dan DDR 2.5v.Secara teori, kecepatan yang dimiliki oleh RAM ini memang cukup memukau. Ia mampu mentransfer data dengan clock efektif sebesar 800–1600 MHz. Pada clock 400–800 MHz, jauh lebih tinggi dibandingkan DDR2 sebesar 400–1066 MHz (200- 533 MHz) dan DDR sebesar 200–600 MHz (100-300 MHz). Prototipe dari DDR3 ini sebenarnya su- dah diperkenalkan sejak lama pada awal tahun 2005. Namun, produknya sendiri benar-benar muncul pada pertengahan tahun 2007 bersamaan dengan motherboard yang menggunakanchipset Intel P35 Bearlake dan pada motherboard tersebut sudah mendukung slot DIMM Memory DDR3-1600. Selain memiliki catudaya yang berbeda dengan DDR2, letak keynotch

pada keduanya berbeda namun sama-sama memiliki 240 pin.

Module

pada RAMDDR3 memiliki

High precision calibration resistors

dan

Fly-by command/address/control bus with On- DIMM termination

, di mana fi tur-fi tur yang dimiliki oleh DDR3 tidak terdapat pada generasi sebelumnya. Beberapa fi tur yang dimiliki oleh DDR3, antara lain: _ Asynchronous RESET pin. _ Dukungan terhadap

system level fl ight time compensation.

_ On-DIMM Mirror friendly DRAM pin out. _ CWL (

CAS Write Latency

) per speed bin. _ On-die IO calibration engine. _ READ and WRITE calibration.Walaupun memiliki kelebihan tersendiri dibandingkan dengan DDR2, namun DDR3 jugamasih tak lepas dari beberapa kekurangan. Beberapa kekurangan dan kelebihan, di antaranya:

Kelebihan: _ Bandwidth lebih tinggi (sampai dengan 1600 MHz). _ Peningkatan performa pada daya yang lebih kecil. _ Pada laptop, baterai akan lebih tahan lama. _

Enhanced low power features and thermal design

.Kekurangan: _ Memiliki Cas Latency yang lebih tinggi. _ Berharga lebih mahal untuk kapasitas yang sama dibandingkan RAM

DDR3 SDRAM kependekan dari Double Data Rate three Synchronous Dynamic Random Access Memory. Dalam teknik elektronika, DDR3 SDRAM adalah RAM berkecepatan tinggi yang berfungsi untuk menyimpan data ketika komputer sedang bekerja. Selain merupakan bagian dari perangkat komputer, DDR3 SDRAM juga digunakan pada peralatan elektronik digital lainnya.

DDR3 SDRAM termasuk keluarga SDRAM, merupakan salah satu hasil penerapan dari teknologi DRAM yang pada tahun 2008 masih tergolong baru. DDR3 SDRAM adalah penerus dan perkembangan dari generasi pendahulunya, yaitu DDR2 SDRAM. Kelebihan utama DDR3 SDRAM adalah kemampuannya untuk menjalankan bus I/O hingga empat kali kecepatan sel-sel memori. Hal ini yang mengakibatkan DDR3 SDRAM mampu mentransmisi data lebih banyak dan lebih cepat dibandingkan generasi pendahulunya. Namun DDR3 SDRAM memiliki latency yang lebih tinggi dibandingkan DDR2 SDRAM. Teknologi DDR3 ini membuka peluang besar diciptakannya chip memori berkapasitas 512 Mbit hingga 8 Gbit, dan secara efektif sangat memungkinkan diwujudkannya pembuatan modul memori berkapasitas maksimum 16 GB.
Sebenarnya, prototip DDR3 SDRAM telah diumumkan pada awal tahun 2005. Produknya sendiri baru muncul di pasaran pada pertengahan tahun 2007 yang berbasis pada chipset Intel P35 Bearlake. Menurut berita, AMD juga berencana mengadopsi DDR3 pada tahun 2008.
DDR3 SDRAM memiliki 240 pin, sama jumlahnya dengan pin DDR2 SDRAM. Ukuran panjang DDR3 SDRAM juga sama dengan panjang DDR2 SDRAM, tetapi kedua jenis modul tersebut secara elektronis tidak saling kompatibel satu dengan lainnya, dan keduanya memiliki lokasi notch (takian/kowakan) yang berbeda.

* Konsumsi energi DDR3 SDRAM *
Konsumsi energi DDR3 SDRAM lebih rendah dibandingkan pendahulunya, DDR SDRAM maupun DDR2 SDRAM. Bahkan dilaporkan bahwa pengurangan atau penurunan konsumsi energi DDR3 SDRAM ini mencapai 16% sampai 17 % dibandingkan DDR2 SDRAM. Tegangan yang dibutuhkan oleh ketiga jenis DRAM ini agar dapat bekerja atau beroperasi dengan normal, berbeda-beda. DDR SDRAM memerlukan tegangan 2,5 Volt, DDR2 SDRAM memerlukan 1,8 Volt, sedangkan DDR3 SDRAM memerlukan 1,5 Volt. Suplai tegangan 1,5 Volt cukup ideal untuk chip-chip memori yang diproduksi menggunakan teknologi manufaktur 90 nm. Chip-chip memori DDR3 SDRAM banyak yang diproduksi menggunakan teknologi manufaktur 90 nm. Beberapa perusahaan pembuat chip berencana menggunakan transistor ‘dual gate’ untuk mengurangi kebocoran arus yang mungkin terjadi.
JEDEC (organisasi untuk urusan pengembangan standar semikonduktor) merekomendasikan penggunaan voltase maksimum untuk DDR3 SDRAM sebesar 1,575 Volt, dan modul memori harus mampu bertahan pada tegangan 1,975 Volt walaupun pada tegangan sebesar itu kemungkinan chip memori tidak mampu bekerja sempurna (chip tidak berfungsi sempurna) seperti dalam kondisi normalnya.

* Bandwidth *
Controller internal pada DDR mengerjakan 2 bit data dari media simpan data (storage), DDR2 dapat mengerjakan 4 bit sekaligus, sedangkan DDR3 mampu mengerjakan 8 bit sekaligus, sehingga DDR3 SDRAM memiliki kecepatan transfer data dua kali lebih cepat dibandingkan DDR2 SDRAM atau empat kali lebih cepat dibandingkan DDR SDRAM. Dengan demikian, salah satu keunggulan DDR3 SDRAM terletak pada bandwidthnya.

Pada frekuensi bus memori yang sama (frekuensi dasar atau frekuensi yang sesungguhnya), DDR3 SDRAM memiliki bandwidth yang lebih tinggi dibandingkan generasi pendahulunya.
Bandwidth adalah banyaknya data maksimal yang dapat dipindahkan (ditransmisi) di dalam suatu jaringan elektronik (misalnya bus atau channel) dalam satuan waktu tertentu. Banyaknya data biasanya diukur dalam satuan bit ataupun byte, sedangkan satuan waktu yang digunakan biasanya adalah detik (second).

Berikut ini disajikan tabel perbandingan bandwidth atau laju transfer data maksimum per detik dari DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, dan DDR3 SDRAM pada frekuensi bus memori yang sama.

* Latency *
JEDEC telah menetapkan standar latency untuk modul memori DDR2 SDRAM adalah 5-5-5-15. Sedangkan standar latency untuk modul memori DDR3 SDRAM ditetapkan 7-7-7-15. Dengan ditetapkannya standar latency ini membuat perusahaan-perusahaan produsen modul memori berupaya untuk memproduksi modul memori DDR2 SDRAM maupun DDR3 SDRAM yang memiliki nilai latency di bawah spesifikasi standar yang telah ditetapkan oleh JEDEC. Hal ini membuka peluang para pengguna komputer untuk mendapatkan modul memori yang lebih cepat (latency lebih rendah) untuk memperbaiki kinerja komputernya.

* Hubungan DDR3 SDRAM dengan memori GDDR-3 *
Pengertian istilah DDR3 pada modul DDR3 SDRAM tidaklah sama dengan pengertian istilah DDR3 pada memori GDDR3 yang banyak digunakan pada kartu grafis kelas ‘high end’. Keduanya memiliki teknologi yang berbeda walupun mempunyai nama atau istilah yang sama. Teknologi GDDR3 kenyataannya lebih dekat dengan teknologi DDR2 yang diberi tambahan beberapa hal yang sesuai untuk kartu grafis.

* Standar spesifikasi chip/modul DDR3 SDRAM *
Modul memori DDR3 SDRAM yang beredar di pasaran umumnya berkecepatan efektif 800 MHz hingga 1866 MHz (frekuensi bus sesungguhnya adalah 100 MHz hingga 233 MHz), yang biasanya dituliskan dengan notasi DDR2-800 hingga DDR2-1866 atau PC2-6400 hingga PC2-14900. Spesifikasi modul DDR3 SDRAM yang beredar di pasaran selengkapnya dapat dilihat pada tabel berikut:

* Keunggulan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM *
Beberapa keunggulan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM antara lain:

o Mempunyai bandwidth yang lebih tinggi dibandingkan generasi pendahulunya.
o Kecepatan efektif memori dapat mencapai 1866 MHz (sampai tahun 2008)
o Lebih hemat energi dan performanya lebih bagus. Dapat memperpanjang waktu pemakaian laptop karena energi listrik pada batere tidak cepat habis.
o Dilengkapi desain sistem pendingin (cooler) yang lebih bagus.

* Kelemahan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM *
Kelemahan-kelemahan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM antara lain:

o Mempunyai CAS Latency yang lebih tinggi dibandingkan generasi pendahulunya sebagai kompensasi dari tingginya bandwidth.
o Sampai dengan tahun 2008, harga DDR3 SDRAM cukup tinggi.

M RAM

MRAM Memori Terbaru Berkecepatan 10 kali RAM

Kecepatan komputer selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu super komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory komputer.

Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.

Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.

Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.

IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.

Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.

Jika anda bingung dengan proses di atas, tidak usah dihiraukan juga tidak apa-apa. Atau kalau mau membaca sendiri yang versi inggris disini.

Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. KEcepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.